2010届高三化学物质结构和性质专题突破（1）

2010届高三化学物质结构和性质专题突破（1）   1．四种常见元素的性质或结构信息如下表，试根据信息回答有关问题。 元素 A B C D 性质 结构 信息 原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对的电子 原子的M层有1对成对的p电子 原子核外电子排布为[Ar]3d104sx， 有+1、+2两种常见化合价 有两种常见氧化物，其中有一种是冶金工业常用的还原剂 ⑴写出B原子的电子排布式   ▲   。 ⑵A元素的氢化物的沸点比同主族相邻元素氢化物沸点   ▲   （填“高”或“低”），其原因是   ▲   。 ⑶D元素最高价氧化物的熔点比同主族相邻元素最高价氧化物的熔点   ▲   （填“高”或“低”），其原因是   ▲   。 ⑷往C元素的硫酸盐溶液中逐滴加入过量A元素的氢化物水溶液，可生成的配合物的化学式为   ▲   ，简要描述该配合物中化学键的成键情况   ▲   。 ⑸下列分子结构图中的“  ”表示上述相关元素的原子中除去最外层电子的剩余部分， “  ”表示氢原子，小黑点“  ”表示没有形成共价键的最外层电子，短线表示共价键。 则在以上分子中，中心原子采用sp3杂化形成化学键的是   ▲   （填写序号）；在②的分子中有   ▲   个σ键和   ▲   个π键。 【参考答案】 ⑴ 1s22s22p63s23p4 ⑵ 高     因为A的氢化物存在氢键 ⑶ 低    晶体类型不同 ⑷ [Cu(NH3)4]SO4     中心原子与配位体之间以配位键相结合，内界与外界之间以离子键相结合 ⑸ ①③④   3     2 2． （一）下列是A、B、C、D、E五中元素的某些些性质   A B C D E 化合价 －4 －2 －1 －2 －1 电负性 2.55 2.58 3.16 3.44 3.98 (1)元素A是形成有机物的主要元素，下列分子中含有sp和sp3 杂化方式的是   ▲   A． B．CH4   C．CH2＝CHCH3    D．CH3CH2C≡CH   E．CH3CH3 (2)用氢键表示式写出E的氢化物水溶液中存在的所有氢键   ▲   。   (3)相同条件下，AD2与BD2分子两者在水中的溶解度较大的是   ▲   （写分子式），理由是   ▲   ； （二）下列是部分金属元素的电离能   X Y Z 第一电离能(kJ/mol) 520.2 495.8 418.8（1）已知X、Y、Z的价层电子构型为ns1，则三种金属的氯化物（RCl）的熔点由低到高的顺序为   ▲   。 （2）RCl用作有机机合成催化剂, 并用于颜料, 防腐等工业。R＋中所有电子正好充满K、L、M 三个电子层，它与Cl－形成的晶体结构如图所示。元素R基态原子的电子排布式   ▲   ，与同一个Cl－相连的 R＋有   ▲   个。 【参考答案】 （一） （1）D （2）F-H…F     F-H…O      O-H…F    O-H…O （3）SO2，  因为CO2是非极性分子，SO2和H2O都是极性分子，根据“相似相溶”原理，SO2在H2O中的溶解度较大 （二） （1）ZClH3BO3   分子间作用力      5．下表是元素周期表的一部分。表中所列的字母分别代表某一种化学元素。 Z             M L Q R     D A     T X Y   E                 J                 （1）Y分别与D、E形成的化合物中熔点较高是_________（用化学式表示）；T、X、Y原子的第一电离能由小到大的顺序是__________________（用元素符号表示）。 （2）LX2分子的电子式是_________，XY2分子是_________（填“极性分子”或“非极性分子”）；QY3分子中Q采用_________杂化。 （3）由J、L、R三种元素形成的某种配位化合物，常温下该化合物具有挥发性，化学式为J(LR)4，其中J的化合价是0价。则基态J原子的核外电子排布式是__________________；与配体粒子互为等电子体的离子是_________；J(LR)4固态时属于_________晶体（填晶体类型） （4）由Z、L、Q三种元素组成的化合物，分子式为Z9L3Q，它有多同分异构体（其中Q以三个单键与其它原子相连），写出其中沸点最低的物质结构简式__________________。 （5）A与M组成的一种化合物AM2，刷新了金属化合物超导    温度的最高记录。右图中所示的是该化合物的晶体结构单元。图中上 下底面中心“Δ”处的原子是__________________（填元素符号）。  【参考答案】  （1）NaCl          S＜P＜Cl （2）     极性分子  sp3 （3）1s22s22p63s23p63d84s2（或[Ar] 3d84s2）       CN－  分子 （4）N(CH3)3 提示：若N与H相连则可以在分子间现成氢键，沸点将升高。 （5）Mg 6．A．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。 用砷化镓制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管照明，是节能减排的有效举措。试回答： （1）Ga的基态原子的核外电子排布式为    ▲    。 （2）下列说法正确的是    ▲    （选填序号）。 A．砷和镓都属于p区元素     B．第一电离能：Ga＞As C．电负性：As＞Ga                   D．半导体GaP、SiC与砷化镓互为等电子体 （3）砷化镓是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制备得到，同时得到另一物质，该分子是     ▲    （填“极性分子”或“非极性分子”）。AsH3的空间形状为   ▲  ，(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为    ▲    。 （4）AsH3的沸点比NH3的低，其原因是    ▲    。 【参考答案】 （1）1s22s22p63s23p63d104s24p1  （2）ACD  （3）非极性分子     三角锥     sp2     （4）NH3分子间能形成氢键，而AsH3分子间不能形成氢键